Servis život solární panely

The service life of solar panels is determined by the materials of the panels, tempered glass, EVA, TPT, etc. General, the service life of solar panels made by manufacturers who use better materials can reach 25 years, but with the impact of the environment, the materials of solar panels will age over time. General, the power will be reduced by 30 percent after 20 years of use% 2c and by 70 percent after 25 years of use.
Krájení, čištění, příprava semiš, periferní leptání, odstranění z PN plus přechody on the back, fabrication of upper and lower electrodes, fabrication of antireflexe films, slinování, testing and grading are 10 steps.
Specifické výroba proces instrukce pro solární články
(1) Slicing: Using multi wire cutting, the silicon rod is cut into square silicon wafers.
(2) Čištění: Clean the křemík destička using conventional cleaning methods, and then remove the damaged layer on the surface of the silicon wafer by 30-50 um using an acid (or alkali) solution.
(3) Příprava z a texturovaný povrch: Anizotropní leptání of a křemík destička s an alkálie roztok is použité k příprava a textura povrch on povrch z zbek destička.
(4) fosfor difúze: použití a povlak zdroj (or a kapalina zdroj, nebo a pevný fosfor nitrid list zdroj) for difúze, a PN plus křižovatka is formed, s a křižovatka hloubka obecně of 0.3 to 0.5 um.
(5) Periferní leptání: The difúze vrstva formovaná on the periferní povrch z z křemík destička během difúze can zkrat the upper and lower elektrody of the baterie, a the periferní difúzní layer can be removed by masking wet etching or plasma dry leptání.
(6) Remove the back PN plus knot. Wet lept or grinding is commonly used to remove the PN plus junction on the back.
(7) Výroba horní a dolní elektrody% 3a Použití vakuum odpařování pokovování% 2c bezelektro nikl pokovování% 2c nebo hliník pasta tisk a slinování procesy. první% 2c značka dolní elektroda % 2c a pak značka horní elektroda. hliník pasta tisk je a široce použité proces metoda.
(8) Making antireflection films: To reduce the loss of incoming reflection, a layer of antireflection film should be covered on the surface of the silicon wafer. The materials used to produce antireflection films include MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5, etc. The process method can be vacuum coating method, ion coating method, sputtering method, printing method, PECVD method, or spraying method.
(9) spékání: slinování a baterie čip onto a nikl nebo měď substrát.
(10) Test klasifikace: Podle to zadáno parametr specifikace, test klasifikace.